半导体微纳加工中心（以下简称“中心”）具备制作光刻掩膜版（铬版）的能力，所制作的掩膜版主要应用于接近/接触式光刻工艺。中心采用激光直写设备（DWL66+）将客户图案转移至匀胶铬版上，然后通过显影、湿法刻蚀、去胶、清洗等制程实现掩膜版的制备。

一、掩膜版构成

掩膜版主要由基板、遮光膜构成，掩膜版上覆盖遮光层的区域能够阻挡曝光光束的透过，未覆盖遮光层的区域能够使得曝光光束透过，因而该类型的掩膜版又称为二元光掩膜版。通过掩膜版对光束的阻挡和透射，从而在光刻中将设计图案由掩膜版转移至晶圆表面的光刻胶上。

1）基板：中心制作掩膜版的基板材料为钠钙玻璃材质（即苏打玻璃），尺寸为5英寸（5009）。

2）遮光膜：中心制作的掩膜版遮光层材质为铬膜（Cr），厚度约100nm。

3）其它类型的需求：其它基板材质，如石英玻璃；或其它基板尺寸，如3006、6012、7012。如有需求，请提前联系中心进行沟通，达成协议后，中心采购所需尺寸的基板进行制版。

二、掩膜版性质

掩膜版的性质，即对透光与不透光的概念定义，中心采用下述描述对其进行定义。

1.阴版和阳版（根据传统雕刻工艺划分）

图1 阴版与阳版

1）阴版：设计图案在掩膜版上是需要透光的，即该图案区域的铬膜需要被去除，其它区域的铬膜被保留，称之为阴版。如图1左侧图。

2）阳版：设计图案在掩膜版上是需要遮光的，即该图案区域的铬膜需要被保留，其它区域的铬膜被去除，称之为阳版。如图1右侧图。

2.明场和暗场

图2 明场和暗场

1）明场：掩模板上需要转移到晶圆光刻胶上的图形区域是不透明的（不透光），而周围的背景区域是透明的；

2）暗场：掩模板上需要转移到晶圆光刻胶上的图形区域是透明的（透光），而周围的背景区域是不透明的。

三、掩膜图案要求

1）掩膜图案尺寸：长宽均不要超过所需基板的尺寸，如采用5英寸基板，则掩膜图案不能超过125mm*125mm。

2）请将掩膜图案进行水平镜像，再发送给中心（如图3右侧图）。

对于绘图而言，通常以正向角度绘制所需图案（如图3左侧图）；而在实际曝光时，需要将掩膜版翻转，使得铬膜与晶圆接触，此时掩膜图形发生翻转；所以，若要在曝光后晶圆上的图案以正向形式呈现，掩膜版上的图案必须为翻转的形式。

图3 客户设计图案与中心接收图案

3）版图文件格式：中心接受GDSII格式（*.gds,*.GDS）、DXF格式（*.dxf，*.DXF）、CIF格式（*.cif，*.CIF）的文件图纸。但建议以GDS格式发送给中心，同时确认图纸单位（默认um）。

4）掩膜图形位置：请将整体图案的中心点设置到中心位置（坐标0, 0），以免造成偏心。可将绘制完成的图案整体生产一个cell，然后将图形中心点修改至0点，然后再操作调整版图。

5）图案反转情况：客户可自行进行阴版阳版反转，也可通过中心设备软件完成反转，图形的反转和转换均占用设备内存，建议版图文件不要超过100M。

6）对角线图案：需要进行阴版阳版反转时，建议客户在整个掩模图形的对角上（最外围）画上两个1um的小正方形，可以保证反转和曝光后掩膜版上不会留有大面积的无用铬膜（留下的铬膜不影响制版和后期光刻，但不美观）。

7）掩模版性质告知：客户需结合后续将要开展的光刻工艺（如使用正胶、负胶、反转胶），确定设计的图案是否需要透光，从而告知中心所制备的掩膜版为阴版还是阳版。

四、制版

1）图案分辨率CD：所指分辨率为刻蚀后保留的铬线条线宽（圆孔、密集线等除外），根据需求可分为3um、1um、0.8um三档。不同线宽的制版费用不同，随着需求线宽减小，费用增加。

2）CD MTT (mean to target)：±0.3um。由于中心采用湿法制程腐蚀铬膜，因而铬膜的横向刻蚀难以避免，且药液温度、铬膜氧化程度等因素对铬膜的湿法刻蚀也有一定的影响。

3）一个图层制备一张掩膜版。

五、其它事项

建议使用L-Edit绘制版图文件。